Chọn quốc gia hoặc khu vực của bạn.

Close
Đăng nhập Ghi danh E-mail:Info@infinite-electronic.hk
0 Item(s)

ON thêm vào MOSC SiC

ON S bán dẫn đã giới thiệu hai SiC MOSFET nhằm vào các ứng dụng EV, năng lượng mặt trời và UPS.

Loại công nghiệp NTHL080N120SC1 và AEC-Q101 cấp ô tô NVHL080N120SC1 được bổ sung bởi  Điốt SiCTrình điều khiển SiC, các công cụ mô phỏng thiết bị, mô hình SPICE và thông tin ứng dụng.

ON 1200 volt (V), 80 milliohm (mΩ), SiC MOSFET có dòng điện rò rỉ thấp, diode nội tại nhanh với điện tích phục hồi ngược thấp, giúp giảm tổn thất điện năng cao và hỗ trợ hoạt động tần số cao hơn và mật độ năng lượng cao hơn và Eon thấp và Eoff / bật nhanh BẬT và TẮT kết hợp với điện áp chuyển tiếp thấp để giảm tổng tổn thất điện năng và do đó yêu cầu làm mát.


Điện dung thiết bị thấp hỗ trợ khả năng chuyển đổi ở tần số rất cao giúp giảm các vấn đề EMI rắc rối; trong khi đó, nước dâng cao hơn, khả năng tuyết lở và mạnh mẽ chống lại các mạch ngắn giúp tăng cường độ chắc chắn tổng thể, giúp cải thiện độ tin cậy và tuổi thọ tổng thể lâu hơn.

Một lợi ích nữa của các thiết bị MOSFETSiC là cấu trúc kết thúc giúp tăng độ tin cậy và độ chắc chắn và tăng cường sự ổn định trong vận hành.

NVHL080N120SC1 đã được thiết kế để chịu được dòng nước dâng cao và cung cấp khả năng tuyết lở cao và mạnh mẽ chống lại các mạch ngắn.

Trình độ AEC-Q101 của MOSFET cộng với các thiết bị SiC khác được cung cấp, đảm bảo chúng có thể được sử dụng đầy đủ trong số lượng ứng dụng trên xe ngày càng tăng do tăng nội dung điện tử và điện khí hóa hệ truyền động.

Nhiệt độ hoạt động tối đa 175 ° C giúp tăng cường sự phù hợp để sử dụng trong thiết kế ô tô cũng như các ứng dụng mục tiêu khác, nơi mật độ cao và hạn chế không gian đang đẩy nhiệt độ môi trường xung quanh điển hình.